최근 나노 미터 크기의 소자를 만들기 위해서 신뢰성 있는 패턴닝 기술을 필요로 하는 가운데, 현재까지 사용되는 주요기술인 노광공정(Photolithography)은 해상도 면에 있어서 100nm 이하의 선 폭을 구현하는데 한계를 가지고 있습니다. 100nm 이하의 크기에서 일어나는 빛의 간섭 문제뿐 아니라 높은 에너지대의 광파장대를 흡수하지 않고 투과시킬 수 있는 마스크 및 렌즈의 재질선택에 있어서 많은 어려움이 있기 때문 입니다. 100nm 이하의 해상도를 갖는 기술로는 전자 빔 리소그라피 (Electron beam lithography), 엑스선 리소그라피 (X-ray lithography), 극 자외선 리소그라피(Extreme ultraviolet lithography)등이 있으나 경제적 문제뿐 아니라 대량생산에 문제점이 있어서 산업화하기에는 아직 어려움이 있습니다.

나노임프린트 공정은 나노 패턴이 그려져 있는 스탬프를 고분자 박막 위에 도장처럼 찍어서 패턴을 전사하는 기술로 2003년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)에 나노임프린트 기술이 향후 10년 내 32nm node이하의 선 폭을 구현하는 새로운 리소그라피 공정으로 소개 되었으며 최근 나노임프린트 공정 기법은 산업체 및 연구기관에서 많은 관심을 가지고 향후 반도체 공정 및 디스플레이 소재분야로의 적용에 연구가 이뤄지고 있습니다.

현재 저희 연구실에서는 나노임프린트 리소그라피 공정뿐 아니라 다양한 패턴닝 방법을 시도하여 나노 패턴을 구사하고 이를 차세대 소자에 적용시키고 있습니다. 기존 Photo 리소그라피 외에도, Laser holographic 리소그라피, Colloidal 리소그라피, Phase shift 리소그라피, Contact printing 등을 할 수 있는 제반 기술과 장비가 있으며, 미세 먼지가 없는 분위기에서 실험을 할 수 있도록 클린룸을 설치하여 운영하고 있습니다.